【摘要】 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移区和较薄的场氧作为栅氧化层，所以该开关管可以实现高效率耐高压双向传输。低功耗高压驱动电路采用在传统高压驱动电路的输出端加了一个本发明的双向P型开关管，并在系统应用时外接一个电容C。通过双向P型开关管的开启，使传统高压驱动电路对外接电容C充电，再由充完电的电容C对高压驱动电路放电，使其工作，从而减少了整个电路的能量损耗。本发明与现有技术相比，有效的提高了整个电路的能量恢复效率，同时减少了整个电路的能量损耗。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州博创集成电路设计有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210183438.9 【申请日】2012-06-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102709324B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102709324B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423; H01L29/06; G09G3/28; H03K17/687 【发明人】易扬波; 李海松; 吴虹; 张立新 【主权项内容】1.一种双向P型开关管，其特征在于：该双向P型开关管包括一个P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型埋层(2)，在N型埋层(2)的两端设有两个对称的N型外延层(3)，在所述两个N型外延层(3)之间形成N型阱(4)，在N型阱(4)内设有左右对称的第一P型漂移区(5)、第二P型漂移区(6)，在第一P型漂移区(5)内设有第一P型阱(7)，在第一P型阱(7)上设有P型源(9)，在第二P型漂移区(6)内设有第二P型阱(8)，在第二P型阱(8)上设有P型漏(10)；在N型阱(4)位于第一P型漂移区(5)、第二P型漂移区(6)的上方设有第一场氧化层(13)，在N型阱(4)两端靠近N型外延层的位置分别对称设有第一N型接触孔(11)、第二N型接触孔(12)；所述第一、第二N型接触孔，P型源(9)，P型漏(10)以及第一场氧化层(13)在同一水平面上并且彼此隔离；在P型源(9)延续至第一场氧化层(13)之间设有第二场氧化层(14)，在P型漏(10)延续至第一场氧化层(13)之间设有第三场氧化层(15)；在P型源(9)延续至第一N型接触孔(11)之间设有第四场氧化层(16)；在P型漏(10)延续至第二N型接触孔(12)之间设有第五场氧化层(17)；在第一场氧化层(13)、第二场氧化层(14)、第三场氧化层(15)的上方设有多晶硅栅(23)；在多晶硅栅(23)、第一N型接触孔(11)、在第二N型接触孔(12)、P型源(9)、P型漏(10)上均连接有金属引线；在P型源(9)、P型漏(10)、第一至第二N型接触孔、第二至第五场氧化层以及多晶硅栅(23)的上方设有介质氧化层(24)。 【当前权利人】苏州博创集成电路设计有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320594673014968T 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0

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