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有机发光二极管的驱动电路专利

时间:2026-09-28    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种有机发光二极管的驱动电路;包含一开关单元、一驱动单元和一电容。该开关单元是用以耦接于一数据线与一扫描线。当该开关单元根据该扫描线上的电压开启时,该电容根据该数据线上的数据电流,储存一数据电压。当该开关单元根据该扫描线上的电压关闭时,该驱动单元是用以根据该数据电压及一调光信号,产生一驱动电流以驱动该有机发光二极管以及调整该有机发光二极管的亮度。 【专利类型】发明授权 【申请人】华映视讯(吴江)有限公司; 中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴江区 【申请号】CN201210080402.8 【申请日】2012-03-23 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102655703B 【公开公告日】2014-09-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102655703B 【授权公告日】2014-09-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G09G3/32; G09G3/30; G09G3/3208 【发明人】张世孟; 李汪翰 【主权项内容】一种有机发光二极管的驱动电路,其特征在于,包含:一开关单元,用以耦接于一数据线与一扫描线,该开关单元包含:一第一增强型NMOS薄膜晶体管,具有一漏极端,耦接于该数据线,一栅极端,耦接于该扫描线,及一源极端;及一第二增强型NMOS薄膜晶体管,具有一漏极端,耦接于该数据线,一栅极端,耦接于该扫描线,及一源极端;一驱动单元,耦接于该开关单元,该驱动单元包含:一调光敏晶体管,具有一漏极端,用以耦接于一有机发光二极管的第一端,一栅极端,用以接收一调光信号,及一源极端,所述调光敏晶体管为增强型NMOS薄膜晶体管;一第三增强型NMOS薄膜晶体管,具有一漏极端,耦接于该调光敏晶体管的源极端,一栅极端,耦接于该第一增强型NMOS薄膜晶体管的源极端,及一源极端,耦接于该第二增强型NMOS薄膜晶体管的源极端;及一第四增强型NMOS薄膜晶体管,具有一漏极端,耦接于该第二增强型NMOS薄膜晶体管的源极端,一栅极端,耦接于该第一增强型NMOS薄膜晶体管的源极端,及一源极端,耦接于一地端;及其中该驱动单元用以透过该调光敏晶体管、该第三增强型NMOS薄膜晶体管及该第四增强型NMOS薄膜晶体管驱动该有机发光二极管以及调整该有机发光二极管的亮度,且该有机发光二极管的第二端用以接收一第一电压;一电容,具有一第一端,耦接于该第三增强型NMOS薄膜晶体管的第二端,及一第二端,耦接于该地端。 【当前权利人】华映视讯(吴江)有限公司; 中华映管股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号; 中国台湾桃园市龙潭区华映路1号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320509726641771C 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2

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