【摘要】 本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成第一衬底的第一衬底形成步骤；在所述第一衬底的背面形成终止层的终止层形成步骤；将所述第一衬底通过所述终止层与规定厚度的第二衬底利用直接键合方式键合在一起的键合步骤；将所述第一衬底的厚度减薄的减薄步骤；以及在所述第一衬底形成IGBT的正面结构的正面结构形成步骤；以所述终止层为重点去除所述第二衬底的第二衬底去除步骤；去除所述终止层的终止层去除步骤。根据本发明的上述方法，能与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高、无需专用的设备，能够答复降低工艺成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210368538.9 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103700589A 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/331 【发明人】黄璇; 王根毅; 邓小社 【主权项内容】一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤：形成第一衬底(100)的第一衬底形成步骤；在所述第一衬底(100)的背面形成终止层(200)的终止层形成步骤；将所述第一衬底(100)通过所述终止层(200)与规定厚度的第二衬底(300)利用直接键合方式键合在一起的键合步骤；将所述第一衬底(100)的厚度减薄的减薄步骤；以及在所述第一衬底(100)形成IGBT的正面结构的正面结构形成步骤；以所述终止层(200)为重点去除所述第二衬底(200)的第二衬底去除步骤；去除所述终止层(200)的终止层去除步骤。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

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