【摘要】 本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座(1)、过渡电极(2)和上盖(3)，所述上盖(3)盖置于陶瓷底座(1)上，所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上，在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极板定位槽(2-2)和芯片定位孔(2-3)，在所述过渡电极(2)的上方自上而下依次压接有上钼片(4)、整晶圆芯片(5)和下钼片(6)，在过渡电极(2)的门极针定位孔(2-1)内设置有弹性门极针单元(2-4)。本发明降低了封装装配的复杂程度，增加了电极接触面积，提高了器件工作时的散热效果，提高了器件门极驱动的可靠性。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴市赛英电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214432 江苏省无锡市江阴市澄江工业集中区南区斜泾村6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210263536.3 【申请日】2012-07-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102768999B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102768999B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/15; H01L23/48; H01L23/367; H01L29/739 【发明人】陈国贤; 徐宏伟; 陈蓓璐 【主权项内容】一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座(1)、过渡电极(2)和上盖(3)，所述陶瓷底座(1)包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰(1-1)、瓷环(1-2)和阳极密封圈(1-3)，在所述阳极密封圈(1-3)内同心焊接有阳极电极(1-4)，在所述瓷环(1-2)的壳壁上穿接有门极引线管(1-5)，在所述门极引线管(1-5)的内、外端分别焊接有门极内插片(1-7)和门极外插片(1-6)，所述上盖(3)包含有阴极电极(3-1)和阴极法兰(3-2)，所述阴极法兰(3-2)同心焊接在阴极电极(3-1)的外缘上；所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上，在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极板定位槽(2-2)和芯片定位孔(2-3)，在所述过渡电极(2)的上方自上而下依次压接有上钼片(4)、整晶圆芯片(5)和下钼片(6)，在所述上钼片(4)、整晶圆芯片(5)和下钼片(6)上均设置有与过渡电极(2)上相应的芯片定位孔(2-3)，在所述下钼片(6)上还设置有门极针预留孔(6-1)，在所述各部件的芯片定位孔(2-3)内插置有定位插销，在过渡电极(2)的门极针定位孔(2-1)内设置有弹性门极针单元(2-4)，所述弹性门极针单元(2-4)包括塑料模架(2-4-1)和多个弹性门极针(2-4-2)，在所述塑料模架(2-4-1)上开有与弹性门极针(2-4-2)数量相同的弹性门极针定位孔(2-4-3)，所述弹性门极针(2-4-2)插置于弹性门极针定位孔(2-4-3)内，所述弹性门极针(2-4-2)的上端穿过门极针预留孔(6-1)与整晶圆芯片(5)上的门极弹性压接，在所述过渡电极(2)的门极板定位槽(2-2)内设置有门极引出板(2-5)，所述门极引出板(2-5)的下端面与阳极电极(1-4)的上表面接触，上端面与弹性门极针(2-4-2)的下端弹性压接，并与门极内插片(1-7)相焊接。。 【当前权利人】江阴市赛英电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市南闸街道开运路60号 【引证次数】5.0 【自引次数】4.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】16

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790230617.html