【摘要】本发明涉及一种穿孔顶头的激光强化工艺,先在穿孔顶头基体表面上激光熔覆过渡合金层,再在过渡合金层上激光熔覆高强度合金层;所述过渡合金层采用的合金粉末为镍基合金,所述高强度合金层采用的合金粉末为钴基合金。该工艺中过渡合金层硬度比高强度合
【摘要】 本发明涉及一种圆片级LED封装结构,属于半导体芯片封装技术领域。它包括LED芯片(1)、硅基载体(2)、玻璃(3)、填充胶(4)、反光层(5)、感光树脂层(6)和金属层(7),所述硅基载体(2)的正面下凹的型腔(21)内设置LED芯片(1)、背面设有硅孤岛(22),所述硅孤岛(22)与型腔(21)的底部跨接, 所述感光树脂层Ⅰ(61)覆盖在硅基载体(2)的下表面,呈岛结构,所述金属块(72)设置在硅孤岛(22)的下表面,所述再布线金属层(71)与电极Ⅰ(121)、电极Ⅱ(122)连接,将LED芯片信号及热引出。本发明采用非TSV结构,封装结构简单、封装成本低,并且提升了封装体的导电和散热能力,适于便携式产品中应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210303563.9 【申请日】2012-08-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102832330B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102832330B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/56; H01L33/62; H01L33/64 【发明人】张黎; 陈栋; 赖志明; 陈锦辉 【主权项内容】一种圆片级LED封装结构,包括LED芯片(1)、硅基载体(2)和填充胶(4),所述LED芯片(1)包括芯片本体(11),在芯片本体(11)上表面设有电极(12),所述电极(12)包括电极Ⅰ(121)和电极Ⅱ(122),所述硅基载体(2)的上方设置玻璃(3),其特征在于:所述硅基载体(2)的正面设有下凹的型腔(21)、背面设有硅孤岛(22),所述硅孤岛(22)跨过型腔(21)的两端与硅基载体(2)连接,所述LED芯片通过连结胶(13)与型腔(21)内的硅孤岛(22)连接,所述玻璃(3)与硅基载体(2)通过填充胶(4)连接,并且填充胶(4)填充满型腔(21)内部,所述硅基载体(2)的下方设有感光树脂层(6)和金属层(7),所述感光树脂层(6)包括感光树脂层Ⅰ(61)和感光树脂层Ⅱ(62),所述感光树脂层Ⅰ(61)覆盖在硅基载体(2)的下表面,呈岛结构,其高度与硅孤岛(22)齐平,所述金属层(7)包括再布线金属层(71)和金属块(72),所述金属块(72)设置在硅孤岛(22)的下表面,所述再布线金属层(71)与电极Ⅰ(121)、电极Ⅱ(122)连接,所述感光树脂层Ⅱ(62)覆盖在金属层(7)上,并设有数个感光树脂开口(621)。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】8.0 【自引次数】2.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】4
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