【摘要】 具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，涉及半导体生产技术领域。先形成GaN外延片；然后在外延片的P-GaN层表面制备ITO薄膜层；再对薄膜层表面进行表面粗化；然后对GaN外延片的一侧进行ICP刻蚀，在P型台面上形成ITO透明电极；形成P电极和N电极；将半导体衬底减薄，然后划裂成单独芯片。本发明的特点是：在对ITO薄膜层表面进行表面粗化加工时，制作出纳米碗状粗化表面层，所述纳米碗状粗化表面层由相连的多个背面分别连接在P-GaN层上的碗形凹槽组成。本发明的纳米碗状粗化表面层中各碗形凹槽的尺寸和深度可控，这种碗状结构更有利于光提取。 【专利类型】发明授权 【申请人】扬州中科半导体照明有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225009 江苏省扬州市开发区临江路186号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201210281687.1 【申请日】2012-08-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102790154B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102790154B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/22; H01L33/00 【发明人】李璟; 王国宏; 詹腾 【主权项内容】1.具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括以下步骤：1)采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；所述半导体衬底为蓝宝石、硅、碳化硅或金属；2)在GaN外延片的P-GaN层表面制备厚度为500～9000?的 ITO薄膜层；3)对ITO薄膜层表面进行表面粗化加工；4)采用AZ4620光刻胶作为掩膜，对GaN外延片的一侧进行ICP刻蚀，去除一侧的P-GaN、量子阱以及部分N-GaN, 形成深度为1000～2000nm的台面；5)选用AZ6130光刻胶和王水光刻腐蚀出ITO图形，去除P-GaN 层上的部分ITO薄膜层和台面上的ITO薄膜层，在P型台面上形成ITO透明电极；6)在P-GaN层、ITO层和N-GaN层上选用负型光刻胶L-300光刻P、N电极，采用电子束蒸发法依次蒸镀金属Cr、Pt和Au，剥离后形成P电极和N电极；7)将半导体衬底减薄，然后划裂成单独芯片；其特征在于：在对ITO薄膜层表面进行表面粗化加工时，制作出纳米碗状粗化表面层，所述纳米碗状粗化表面层由相连的多个背面分别连接在P-GaN层上的碗形凹槽组成；所述对ITO薄膜层表面进行表面粗化加工方法包括以下步骤：1)将覆盖有ITO薄膜层的GaN外延片放入蒸发台，在ITO薄膜层表面蒸镀厚度为100～800nm的氯化铯薄膜层；2)向蒸发台腔室中充入水汽，使ITO薄膜层表面的氯化铯吸收水分长大形成氯化铯纳米岛，各所述氯化铯纳米岛的直径为100～900nm，相邻的各氯化铯纳米岛的占空比为1︰1；3)在覆盖有氯化铯纳米岛的ITO薄膜层表面采用等离子增强型化学气相沉积法沉积厚度为0.5～1um的二氧化硅薄膜层；4)将外延片放入去离子水中超声处理，去除ITO薄膜层表面的氯化铯纳米岛，在ITO薄膜层表面形成二氧化硅纳米碗层，所述二氧化硅纳米碗层为由相连的多个背面分别朝向ITO薄膜层表面上的碗形二氧化硅纳米材料组成；5)将二氧化硅纳米碗层作为刻蚀掩膜，对ITO薄膜层表面进行感应耦合等离子体刻蚀，使纳米碗层图形转移到ITO薄膜层上；6)在BOE溶液中超声或浸泡后，将ITO薄膜层表面的二氧化硅去除干净。 【当前权利人】扬州中科半导体照明有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市开发区临江路186号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91321091668993305B 【引证次数】5.0 【被引证次数】4 【他引次数】5.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】14

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