【摘要】 一种肖特基半导体元件的检测方法。涉及对肖特基半导体元件电性能的检测方法。提供了一种能够自动实现优劣判断，进而提高产品质量检验效率及检验精度的肖特基半导体元件的检测方法。本发明的方法按以下步骤进行：1)、测合格品比较值；2)、测不不合格品比较值；3)、对被检测品进行检测；4)、比较被测品因变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。本发明首先利用合格品测定合格比较值，即合格应变量；然后利用不合格品测定异常曲线上线点；最后，对批量产品进行伏安特性检测，获得多个电压数值，对多个电压数值进行应变量计算，取其中最大应变量与合格应变量进行比较；最终判断产品合格与否。 【专利类型】发明授权 【申请人】扬州扬杰电子科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请号】CN201210181109.0 【申请日】2012-06-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102707216B 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102707216B 【授权公告日】2014-04-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01R31/26 【发明人】陈小华; 王毅 【主权项内容】一种肖特基半导体元件的检测方法，其特征在于，按以下步骤进行：1)、测合格品比较值；1.1)、取合格的所述肖特基半导体元件，人工测定反向漏电值a；1.2)、对所述合格元件，在反向漏电值a以下，设定每次减小的漏电数值b和测试次数N，其中a＞b×N；检测其电压值VR1～VRN；并按以下规则得出合格品应变量，d=MAX｛︱(VRN-VRN-1)－(VRN-1-VRN-2)︱，……︱(VR3-VR2)－(VR2-VR1)︱｝，取最大电压差值的变化量，得合格品应变量d；2)、测不合格品比较值；2.1)、取不合格的所述肖特基半导体元件，人工测定其伏安曲线异常位置部分的异常曲线上限点e；2.2)、比较反向漏电值a与异常曲线上限点e；取其中数值大的值待用；3)、对被检测品进行检测；3.1)、设定每次减小的漏电数值B和测试次数C，其中x＞B×C；所述x为a＞e时，取a；a＜e时，取e；3.2)、测定数值；对被检测品，以所述数值大的值为顶点值，逐个按前述的漏电数值B、测试次数C进行检测，对应每次检测的漏电数值B得出C个电压值VR1～VRc；3.3)、得出所述被检测品应变量D，将前述得出的C个电压值 VR1～VRc按以下规则得出被检测品应变量D，D=MAX｛︱(VRc-VRc-1)－(VRc-1-VRc-2)︱，……︱(VR3-VR2)－(VR2-VR1)︱｝；取其中最大电压差值的变化量，得被检测品应变量D；4)、比较被检测品应变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。 【当前权利人】扬州扬杰电子科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913210007908906337 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】3

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