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一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池专利

时间:2026-09-21    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前电池易向薄膜中扩散杂质且转化率降低的问题。所述的多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层,N型多晶硅薄膜上制有p-n结,透明衬底设在背电极上,透明衬底上设有钝化层,在上电极和N型多晶硅薄膜之间设有N+掺杂层。本发明在晶硅薄膜的膜面使用钝化层,可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散,钝化多晶硅薄膜表面的化学活性,减小载流子在薄膜表面的复合率,从而增加转换效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】金坛正信光伏电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213250 江苏省常州市金坛直溪镇工业集中区振兴南路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】金坛区 【申请号】CN201210197036.4 【申请日】2012-06-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489944A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L31/0368; H01L31/0216; H01L31/068 【发明人】王桂奋; 谢德兵; 王迎春 【主权项内容】一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于:包括透明衬底(1)、N型多晶硅薄膜(2)、上电极(3)、背电极(4)和钝化层(5),N型多晶硅薄膜(2)上制有p-n结,透明衬底(1)设在背电极(4)上,透明衬底(1)上设有钝化层(5),在上电极(3)和N型多晶硅薄膜(2)之间设有N+掺杂层(6)。。数据由整理 【当前权利人】金坛正信光伏电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市金坛直溪镇工业集中区振兴南路1号 【专利权人类型】股份有限公司(中外合资、未上市) 【统一社会信用代码】9132040079085953XC 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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