【摘要】 本发明公开了一种GaN基发光二极管，包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其中衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。本发明还公开了一种GaN基发光二极管的制造方法包括准备并处理蓝宝石衬底，以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层。采用处理后的蓝宝石晶片作为衬底形成的发光二极管，增大了击穿场强，减少了漏电，增加了导热性，光发射效率更高，可靠性更大。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏威纳德照明科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】溧阳市 【申请号】CN201210353406.9 【申请日】2012-09-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102856450B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102856450B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/322 【发明人】虞浩辉; 周宇杭 【主权项内容】1.一种GaN基发光二极管的制造方法，包括如下步骤：准备并处理蓝宝石衬底，以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN 模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其特征在于，所述处理蓝宝石衬底的方法包括如下步骤：(1)在常温常压下，将蓝宝石晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；(2)对蓝宝石晶片加热的同时加压，加热至温度为950～1020℃，加压至压力为4.5~4.9GPa，保持10～15分钟；(3)停止加热，使蓝宝石晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使蓝宝石晶片恢复至常压；(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出蓝宝石晶片。。微信 【当前权利人】江苏威纳德照明科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913204815538061940 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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