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高效晶体硅电池规模化制造方法专利

时间:2026-08-09    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种高效晶体硅电池规模化制造方法,包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理,本发明电池效能高,工艺简单,易操作。 【专利类型】发明申请 【申请人】陆兴艳 【申请人类型】个人 【申请人地址】226151 江苏省海门市包场镇南通华强电器有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】海门区 【申请号】CN201010204186.4 【申请日】2010-06-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102290482A 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】陆兴艳 【主权项内容】一种高效晶体硅电池规模化制造方法,包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理,其特征是:高温烧结是在氮氧气氛下进行,氮氧气氛中氮与氧的重量比为8~15∶1。 【当前权利人】陆兴艳 【当前专利权人地址】江苏省海门市包场镇南通华强电器有限公司 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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