【摘要】本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法,可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿,减小漏电流。所述GaN基MOSFET,在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层,GaN衬
【摘要】 本实用新型提供了一种氯苯尾气吸收装置,包括贮液箱、填料塔和喷淋泵,所述贮液箱内部分为冷却区和沉降区,所述沉降区和所述冷却区以分流板为界,所述沉降区包括缓冲板和沉降板,所述冷却区包括冷却盘管,所述贮液箱外壁上包括进气口、排污口、进水口、氯苯出口、冷却盘管进(出)水口和出水口,所述喷淋器位于所述填料塔的顶端,通过管路与所述喷淋泵出口相连,所述喷淋泵的进口与所述出水口相连。本实用新型可有效地回收无组织排放的氯苯,操作简单。 【专利类型】实用新型 【申请人】江苏依柯化工有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226221 江苏省南通市启东市北新镇通港路333号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020527437.8 【申请日】2010-09-14 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201791456U 【公开公告日】2011-04-13 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201791456U 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【发明人】易江华; 阮文林; 毕亚铃; 章传力 【主权项内容】一种氯苯尾气吸收装置,其特征在于:包括贮液箱(1)、填料塔(2)和喷淋泵(12),所述贮液箱(1)位于所述填料塔(2)的下方,所述贮液箱(1)左上方的箱体壁与所述填料塔(2)底部连接成L型,所述贮液箱(1)内部分为冷却区(10)和沉降区(6),所述沉降区(6)和所述冷却区(10)以分流板(9)为界,所述沉降区(6)包括隔离板(5)和沉降板(7),所述冷却区(10)包括冷却盘管(11),所述贮液箱(1)外壁上包括进气口(3)、氯苯出口(8)、排污口A(17)、排污口B(18)、出水口(13)、冷却盘管进水口(15)、冷却盘管出水口(16)和进水口(14),所述进气口(3)位于所述贮液箱(1)外壁的左上方,与所述填料塔(2)的出口相对,所述隔离板(5)位于所述进气口(3)下方,其一端连接于所述贮液箱(1)的内腔顶端,所述沉降板(7)的一端与所述隔离板(5)垂直相连,所述冷却盘管(11)位于所述贮液箱(1)的冷却区(10)内,所述氯苯出口(8)通过弯管连接于所述贮液箱(1)的左侧下方,所述排污口A(17)和所述排污口B(18)分别位于所述贮液箱(1)的底部两端,所述出水口(13)位于所述贮液箱(1)的右侧下方,所述进水口(14)、所述冷却盘管进水口(15)和所述冷却盘管出水口(16)排列于贮液箱的顶部右侧,所述喷淋器(4)位于所述填料塔(2)的顶端,通过管路与所述喷淋泵(12)出口相连,所述喷淋泵(12)的进口与所述出水口(13)相连。 : 【当前权利人】江苏依柯化工有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市北新镇通港路333号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320681762433638N
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