【摘要】本实用新型公开了一种多功能扳手，包括主承力杆、闭锁棒和副承力杆；所述主承力杆包括杆头和杆柄，主承力杆内设空腔，杆头内壁呈正多边形，杆柄中部设卡孔、尾部设通孔；所述闭锁棒位于主承力杆空腔内，其前端设有至少一层的伸缩杆，中部设有与卡孔位
【摘要】 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。 【专利类型】发明授权 【申请人】南京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210093 江苏省南京市汉口路22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010147721.7 【申请日】2010-04-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101819995B 【公开公告日】2011-12-14 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101819995B 【授权公告日】2011-12-14 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/51; H01L21/336; H01L21/285 【发明人】刘治国; 高立刚; 汤振杰; 夏奕东; 殷江 【主权项内容】1. 一种GaN基MOSFET的制备方法，其特征在于，所述GaN基MOSFET的结构为：在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层， GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层，所述制备方法包括如下步骤：a)将GaN衬底清洗、吹干后放入反应腔以备沉积薄膜；b)将SiO2 陶瓷靶材和(La2O3)x(SiO2)1-x陶瓷靶材分别固定在脉冲激光沉积制膜系统的可旋转的，有多靶位置的靶台上，GaN衬底固定在衬底台上，他们都放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室中；c)将生长室抽真空到8.0×10-5 Pa以下，加热衬底温度至400℃；d)启动KrF准分子激光器，使激光束通过聚焦透镜，先后聚焦在SiO2陶瓷靶材和(La2O3)x(SiO2)1-x陶瓷靶材上，在衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后转动靶台，沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。 【当前权利人】南京大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市汉口路22号 【统一社会信用代码】12100000466007458M 【家族引证次数】3.0
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