【摘要】本发明公开了一种半导体器件芯片电子辐照加工方法，该方法首先根据参数大小对半导体器件芯片进行分档归类；然后将同档芯大片叠层整体排列，放入固定装置中，再放入辐照传输装置上，采用电子束对其进行扫描辐照，可以是单面辐照，也可以是双面辐照；再
【摘要】 本发明涉及一种基于三并茚基元的多臂结构光电功能材料，它以苯基咔唑修饰的三并茚为核、以寡聚芴为枝臂的多臂结构芴基衍生物，其通式结构如下式I所示：其中，R为C1-C30的烷基；Ar为共轭结构的荧光生色团，选自烷基芴、芳基芴等芴的衍生物；X为封端基团，选自氢；n代表Ar的数目，具体为1-3之间的自然数。该类材料具有优异的无定形性能、成膜性能和优良的热稳定性能，通过常规的柱层析方法提纯得到高的化学纯度，可采用简易的溶液加工方法制备有机电子薄膜器件；可作为发光材料广泛应用于有机发光器件，特别是稳定高效蓝色有机电致发光薄膜器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京邮电大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210003 江苏省南京市新模范马路66号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010568927.7 【申请日】2010-11-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102060748A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】赖文勇; 刘东; 黄维 【主权项内容】一种基于三并茚基元的多臂结构光电功能材料，其特征在于该材料以苯基咔唑修饰的三并茚为核的多臂结构化合物，其结构如下式I所示：其中，R为C1‑C30的烷基；Ar为共轭结构的荧光生色团，选自烷基芴、芳基芴等芴的衍生物；X为封端基团，选为氢；n代表Ar的数目，具体为1‑3之间的自然数。FSA00000369053200011.tif 【当前权利人】南京邮电大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市新模范马路66号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】123200004260908590 【被引证次数】10 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】10
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