【摘要】 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210093 江苏省南京市汉口路22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010276921.2 【申请日】2010-09-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101962758A 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101962758B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C23C16/455; C23C16/02; C23C16/06 【发明人】李学飞; 李爱东; 章闻奇; 刘晓杰; 付盈盈; 吴迪 【主权项内容】一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1)首先对作为衬底的单晶锗片进行清洗；2)对清洗好的单晶锗片衬底进行钝化；3)将钝化好的单晶锗片衬底放入ALD反应室中，反应室的温度为140‑170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入第一个清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入第二个清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；4)根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复若干次步骤3)，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。 【当前权利人】南京大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市汉口路22号 【统一社会信用代码】12100000466007458M 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【他引次数】4.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5

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