【摘要】本发明公开了一种采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法,包括如下三个步骤:(1)处理金属,使金属原子进入气相;(2)降低进入气相的金属原子的动能;(3)将步骤(2)中获得的金属原子沉积在柔性物质表面,形成金属薄膜。本发明提
【摘要】 波导型边带分离超导隧道结混频器,基座的输入端面的中央部位设有第一和第二输入波导口,第一、第二信号波导沿垂直于基座输入端面的方向,从输入波导口向前延伸,第一、第二信号波导以相反的方向进行第一次垂直弯折,分别向左和向右延伸至基座的左右端部,第一、第二信号波导再经两次垂直弯折后,宽度逐渐减小,延伸至基座纵向轴线附近终止;第一参考信号波导以垂直于前端面的方向向后延伸,经本振分配器后分为第二、第三参考信号波导,第二、第三参考信号波导延伸至向第一次弯折后的第一、第二信号波导附近,进行垂直弯折,沿与分别向左右延伸的第一、第二信号波导平行方向延伸,至第一、第二信号波导第二次垂直弯折部终止。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院紫金山天文台 【申请人类型】机关团体 【申请人地址】210008 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010509654.9 【申请日】2010-10-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102005631A 【公开公告日】2011-04-06 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102005631B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01P1/213; H01P5/12 【发明人】单文磊 【主权项内容】波导型边带分离超导隧道结混频器,包括基座和混频器芯片,其特征是,所述基座由上基座和下基座围成内部腔体,构成波导型混频电路;所述内部腔体为:在基座的中间部,基座的输入端面的中央部位设有第一和第二输入波导口,第一、第二信号波导沿垂直于基座输入端面的方向,从输入波导口向前延伸,第一、第二信号波导之间设有混合电桥结构, 第一、第二信号波导以相反的方向进行第一次垂直弯折,分别向左和向右延伸至基座的左右端部,第一、第二信号波导再经第二次垂直弯折后向前延伸,第一、第二信号波导再经第三次垂直弯折后向基座中心相向延伸,宽度逐渐减小,延伸至基座纵向轴线附近终止;在基座的上下中间部,基座的输出端面的中央部位设有参考信号输入波导口,第一参考信号波导以垂直于前端面的方向向后延伸,经本振分配器后分为第二、第三参考信号波导,第二、第三参考信号波导延伸至向第一次弯折后的第一、第二信号波导附近,进行垂直弯折,沿与分别向左右延伸的第一、第二信号波导平行方向延伸,至所述第一、第二信号波导第二次垂直弯折部终止;在信号波导和参考信号波导的平行延伸部位,所述第二参考信号波导和第一信号波导之间设有开槽耦合器,在所述第三参考信号波导和第二信号波导之间设有开槽耦合器;在下基座,第一、第二信号波导的终端分别设有安装槽,混频器芯片插入安装槽;在上、下基座的前部设有左、右电路板空间,下基座的左、右电路板空间内设有左、右电路板,混频器芯片的输出信号输入左、右电路板,左、右电路板的输出接基座前端面的两个信号输出口;所述第二输入波导口设有终端匹配负载;上部基座顶面接近混频器芯片的位置设有嵌入孔,嵌入孔内设有永磁体。 【当前权利人】中国科学院紫金山天文台 【当前专利权人地址】江苏省南京市鼓楼区北京西路2号 【统一社会信用代码】12100000466000379J 【引证次数】3.0 【被引证次数】5 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8
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