【摘要】本发明对于飞行控制系统执行器故障,包括损伤、松浮、卡死、饱和故障,提供了一种基于微分几何理理论的故障检测与故障定位方法。针对非线性的飞行控制系统,可以通过在状态和输出空间进行同胚变换,将原系统化为多个只受单一通道故障输入影响的能观商
【摘要】 一种压裂井口金刚石膜内壁的制备方法,其特征是它包括以下步骤:表面处理、等离子喷涂、磨削加工、金刚石膜沉积前的预处理、热丝布置和CVD金刚石膜沉积炉的沉积等。本发明优化了高端压裂井口装置产品的批量生产工艺,具有喷涂效率高,涂层致密和粘结强度高的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210016 江苏省南京市白下区御道街29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010502784.X 【申请日】2010-10-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101967638A 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101967638B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C28/00; C23C4/06; C23C4/12; C23C16/27; C23C16/44; C23C4/134 【发明人】左敦稳; 孙玉利; 徐锋; 卢文壮; 许春; 黄美健 【主权项内容】一种压裂井口金刚石膜内壁的制备方法,其特征是它包括以下步骤:首先,对经过机械加工后的压裂井口内表面进行表面处理,为等离子喷涂提供所需的表面;其次,对经过表面处理的压裂井口内表面进行等离子喷涂,在压裂井口内表面形成硬质合金过渡层作为金刚石膜沉积的基底;第三,对经过等离子喷涂的压裂井口内表面进行磨削加工,去除不均匀喷涂层,使内表面光滑无明显凸起即可;第四,对经过磨削加工的压裂井口进行CVD金刚石膜沉积前的预处理;第五,在经过预处理的压裂井口中沿轴向均匀布置6‑8根热丝,每根热丝与圆柱形基底的距离控制在10‑50毫米之间,同时使每根热丝的两端均伸出压裂井口的对应端50‑100毫米,两端伸出的长度相等;第六,将布置有热丝的压裂井口置于CVD金刚石膜沉积炉中进行沉积,控制热丝的温度在2000‑2200℃,气体流量在350‑450sccm(标况毫升每分钟),甲烷体积浓度在1%~3%之间,基底温度控制在800~1000℃之间,甲烷浓度在1%~3%,沉积时间在4~5h即可。 【当前权利人】南京航空航天大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市白下区御道街29号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466006826U 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
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