【摘要】 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其工艺如下：根据应用需要选择合适的衬底和靶材，在衬底上生长碳化硅薄膜；将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔，使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空；对衬底使用加热器加热；在衬底加热的同时辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底；使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，沉积过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型；对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。本发明极大地降低碳化硅薄膜的生长温度，制备出包括非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC和15R-SiC结构的择优取向的晶体薄膜，在半导体器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210094 江苏省南京市孝陵卫200号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010559109.0 【申请日】2010-11-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102051589A 【公开公告日】2011-05-11 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102051589B 【授权公告日】2013-01-02 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/28; C23C14/06; C23C14/54; C23C14/58 【发明人】王海洋; 孙晨; 袁国亮 【主权项内容】一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其特征在于：将衬底表面温度分为三个部分, 第一部分是由加热系统对衬底加热所显示的温度，第二部分，溅射出来的粒子沉积在衬底上，溅射出来的粒子携带有大量的能量，沉积的同时也提高了衬底表面的能量，第三部分，在生长过程的同时，使用外部光源照射在衬底片上，对衬底表面进行光催化，提高衬底表面的活性和能量；其中二、三部分的能量无法通过生长系统测试，通过增加第二、第三部分的能量，降低生长碳化硅薄膜过程中加热系统的温度；具体步骤如下：第一步：根据应用需要选择合适的衬底，在适合的衬底上生长碳化硅薄膜； 第二步：将选用的衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔，使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空；第三步：对衬底使用加热器加热；第四步：在衬底加热的同时辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底，对衬底进行辅助光催化，提高衬底表面活性；第五步：在衬底加热的同时，使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，使靶材物质溅射出来沉积在衬底上，通过增加溅射粒子的能量和薄膜生长速度，提高样品表面的实际温度和表面活性，从而控制的碳化硅晶体类型；第六步：对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。 数据由整理 【当前权利人】南京理工大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466007597C 【引证次数】5.0 【被引证次数】15 【他引次数】5.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】15

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