【摘要】 本实用新型公开了一种接收信号强度检测电路，包括非平衡源级交叉耦合对、局部正反馈负载和输出端钳位电路三部分，在检测范围内，输入信号强度和输出直流电平之间呈线性关系；通过非平衡源级耦合对电路实现传统的对数放大器功能。并且采用局部正反馈负载和输出端钳位电路与非平衡源级耦合对电路级联，优化接收信号强度检测电路的性能。本实用新型提供的接收信号强度检测电路，相对于传统的基于对数放大器的接收信号强度检测电路，具有更宽的检测范围、更优良的线性度、更好的稳定性。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020539629.0 【申请日】2010-09-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201854285U 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201854285U 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H04B17/00; H04B17/318 【发明人】吴建辉; 徐震; 陈超; 竺磊; 徐毅 【主权项内容】一种接收信号强度检测电路，其特征在于：所述接收信号强度检测电路包括非平衡源级交叉耦合对电路、局部正反馈负载电路和输出端钳位电路：所述非平衡源级交叉耦合对电路包括第一PMOS晶体管(M1)、第二PMOS晶体管(M2)、第三PMOS晶体管(M3)、第四PMOS晶体管(M4)、第五PMOS晶体管(M5)、第六PMOS晶体管(M6)、第七PMOS晶体管(M7)；所述局部正反馈负载电路包括第八NMOS晶体管(M8)、第九NMOS晶体管(M9)、第十NMOS晶体管(M10)、第十一NMOS晶体管(M11)、第十二NMOS晶体管(M12)、第十三NMOS晶体管(M13)、第十四NMOS晶体管(M14)、第十五NMOS晶体管(M15)、第十六NMOS晶体管(M16)、第十七NMOS晶体管(M17)、第十八NMOS晶体管(M18)、第十九NMOS晶体管(M19)、第二十PMOS晶体管(M20)、第二十一PMOS晶体管(M21)、第二十二NMOS晶体管(M22)、第二十三NMOS晶体管(M23)；所述输出端钳位电路包括负载电阻(R1)、第二十四PMOS晶体管(M24)、运算放大器(OP)和实现对非平衡源级交叉耦合对电路以及局部正反馈负载电路的复制的输出偏置电位提供电路Replica；在非平衡源级交叉耦合对电路中，第一PMOS晶体管(M1)和第二PMOS晶体管(M2)的栅极接射频输入信号的正级，第三PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M4)的栅极接射频输入信号的负级；第一PMOS晶体管(M1)和第二PMOS晶体管(M2)的源级接第五PMOS晶体管(M5)的漏极，第三PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M4)的源级接第六PMOS晶体管(M6)的漏极；第五PMOS晶体管(M5)、第六PMOS晶体管(M6)、第七PMOS晶体管(M7)组成电流镜结构，构成提供偏置电流的偏置电路；在局部正反馈负载电路中，第八NMOS晶体管(M8)和第九NMOS晶体管(M9)的栅极接第九NMOS晶体管(M9)的漏极，第八NMOS晶体管(M8)的漏极接第二十一NMOS晶体管(M21)的漏极，第九NMOS晶体管(M9)和第十NMOS晶体管(M10)的漏极接第一PMOS晶体管(M1)的漏极，第十NMOS晶体管(M10)的栅极接第十二NMOS晶体管(M12)的漏极，第十一NMOS晶体管(M11)的栅极接第十NMOS晶体管(M10)的漏极，第十二NMOS晶体管(M12)和第十三NMOS晶体管(M13)的栅极都接第十二NMOS晶体管(M12)漏极，第十三NMOS晶体管(M13)的漏极接第二十一NMOS晶体管(M21)的漏极，第十二NMOS晶体管(M12)的漏极接第三PMOS晶体管(M3)的漏极；第十四NMOS晶体管(M14)和第十五NMOS晶体管(M15)的栅极接第十五NMOS晶体管(M15)漏极，第十四NMOS晶体管(M14)的漏极接第二十NMOS晶体管(M20)的漏极，第十五NMOS晶体管(M15)和第十六NMOS晶体管(M16)的漏极接第二PMOS晶体管(M2)的漏极，第十六NMOS晶体管(M16)的栅极接第十八NMOS晶体管(M18)的漏极，第十七NMOS晶体管(M17)的栅极接第十五NMOS晶体管(M15)的漏极，第十八NMOS晶体管(M18)和第十九NMOS晶体管(M19)的栅极都接第十八NMOS晶体管(M18)漏极，第十九NMOS晶体管(M19)的漏极接第二十NMOS晶体管(M20)的漏极，第十八NMOS晶体管(M12)的漏极接第四PMOS晶体管(M4)的漏极；第八NMOS晶体管(M8)、第九NMOS晶体管(M9)、第十NMOS晶体管(M10)、第十一NMOS晶体管(M11)、第十二NMOS晶体管(M12)、第十三NMOS晶体管(M13)、第十四NMOS晶体管(M14)、第十五NMOS晶体管(M15)、第十六NMOS晶体管(M16)第十七NMOS晶体管(M17)和第十八NMOS晶体管(M18)的源极接地；第二十PMOS晶体管(M20)和第二十一PMOS晶体管(M21)的栅极都接到第二十PMOS晶体管(M20)的漏极，第二十PMOS晶体管(M20)和第二十一PMOS晶体管(M21)的源极接电源，第二十PMOS晶体管(M20)的漏极接第十四NMOS晶体管(M14)和第十九NMOS晶体管(M19)的漏极，第二十一PMOS晶体管(M21)的漏极接到第八NMOS晶体管(M8)、第十三NMOS晶体管(M13)和第二十二NMOS晶体管(M22)的漏极、第二十二NMOS晶体管(M22)和第二十三NMOS晶体管(M23)的栅极都接到第二十二NMOS晶体管(M22)的漏极，第二十二NMOS晶体管(M22)和第二十三NMOS晶体管(M23)的源极都接地，第二十三NMOS晶体管(M23)的漏极接负载电阻(R1)和第二十四PMOS晶体管(M24)的漏极；在输出端钳位电路中，负载电阻(R1)一端接电源，另一端接第二十三NMOS晶体管(M23)和第二十四PMOS晶体管(M24)的漏极，第二十四PMOS晶体管(M24)的源极接电源，第二十四PMOS晶体管(M24)的栅极接运算放大器(OP)的输出；运算放大器(OP)的正极接输出偏置电位提供电路Replica的输出端，运算放大器(OP)的负极接参考电压。 （，） 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】3 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】3

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