【摘要】 本发明公开了一种横向双极晶体管及其制作工艺，发射极和集电极位于晶体管表面，基极位于晶体管背面。由此带来的好处是：1、缓解了击穿电压与工作电流的矛盾，可以提高器件的工作频率与带宽、输出功率、线性功率；2、散热面积大大增加，器件散热性能得到极大改善。同时，集电极移到表面后芯片可以直接烧结在铜底座上，这样进一步提高了散热性能，同时还大大降低了管壳的成本；3、共基极应用时，由于本技术背面是基极，可以省去金丝引线，从而把引线电感对器件频率、功率、稳定性的不利影响减到极小；4、散热的改善也大大提高了器件的可靠性和抗失配能力。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】210016 江苏省南京市中山东路524号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010107818.5 【申请日】2010-12-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101986434A 【公开公告日】2011-03-16 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L29/735; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】盛国兴 【主权项内容】一种横向双极晶体管，包括发射极(1)、基极(2)和集电极(4)，其特征在于：发射极(1)和集电极(4)位于晶体管表面，基极(2)位于晶体管背面。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【当前专利权人地址】江苏省南京市中山东路524号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0

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