【摘要】 基于热损失工作方式的矩形硅薄膜微机电压力传感器是一种采用矩形的P型半导体硅薄层的微机电压力传感器结构，传感器的最下层是用于密闭空腔的玻璃基片，玻璃基片之上是N型硅衬底，靠近玻璃基片的N型硅衬底背面具有矩形空腔，在矩形空腔上是硅薄膜，矩形的P型掺杂薄层覆盖整个硅薄膜，在硅片的上表面覆盖了二氧化硅层，沿着矩形的P型掺杂薄层一条直边，均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极。其特征在于采用矩形的P型掺杂薄层作为传感层，以矩形的P型掺杂薄层的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020554710.6 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201803819U 【公开公告日】2011-04-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201803819U 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01L1/18; B81B3/00 【发明人】李伟华 【主权项内容】一种基于热损失工作方式的矩形硅薄膜微机电压力传感器，其特征在于该传感器的最下层是玻璃基片(107)，在玻璃基片(107)上设有N型硅衬底(101)，在N型硅衬底(101)中间与玻璃基片(107)之间设有矩形空腔(106)，矩形P型掺杂薄层(102)覆盖整个位于矩形空腔(106)上方的N型硅衬底(101)的硅薄膜，作为传感层的微机电压力传感器结构，并且P型掺杂薄层(102)的厚度等于该硅薄膜厚度的一半，采用矩形的P型掺杂薄层(102)作为传感层；在N型硅衬底(101)和矩形P型掺杂薄层(102)的上表面覆盖了二氧化硅层(103)，二氧化硅层上是即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极(105)，该可用于电压测量的金属电极(105)位于。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】3 【被自引次数】3.0 【家族被引证次数】3

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