【摘要】 一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器，将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH，设有一个NMOS管MN1，一个电容CL，两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器，其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接，栅极、漏极和体端连接在一起后，与PMOS管MP2的栅极相连；电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间；PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连，漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连，NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连，源极和体端接GND；反相器的电源电压接高电压域电平VddH，地线接GND，反相器的输出端为转换器的输出端Vout。采用电容型逻辑电平转换，可有效的工作在亚阈值区域。。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020699089.2 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201918978U 【公开公告日】2011-08-03 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201918978U 【授权公告日】2011-08-03 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03K19/0175 【发明人】时龙兴; 柏娜; 黄凯; 蔡志匡; 余群龄 【主权项内容】一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器，将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH，其特征在于：设有一个NMOS管MN1，一个电容CL，两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器，其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接，栅极、漏极和体端连接在一起后，与PMOS管MP2的栅极相连；电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间；PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连，漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连，NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连，源极和体端接GND；反相器的电源电压接高电压域电平VddH，地线接GND，反相器的输出端为转换器的输出端Vout。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】8 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】8

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