【摘要】本发明涉及一种基于RFID技术的门控管理控制系统及控制方法,属于门控管理控制系统领域。该系统包括用户卡片、发卡器、读卡器、上位机和门控管理中心,用户卡片与读卡器通过磁场感应实现数据传输,发卡器与上位机通过RS232串口进行数据交换,
【摘要】 本发明涉及量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法。所述量子点纳米材料的制备方法包括以下步骤:(1)制备ZnSe量子点;(2)取(1)中的ZnSe量子点,加入油胺、十八碳烯,在氩气气氛下,加热到120℃,注入MnSt2/ODE,稳定后升温到270-280℃,停留5-6分钟,注入Se/TBP并在此温度下停留5-6分钟,注入ZnSt2/ODE,反应20-25分钟,得到量子点纳米材料。在所述制备方法所得量子点纳米材料表面包覆二氧化硅的方法包括以下步骤:(1)将纯化的量子点纳米材料溶于正己烷,用巯基丙酸转水,得到量子点水溶液;(2)在3-氨丙基三乙氧基硅烷中加入量子点水溶液,搅拌均匀,反应形成溶胶。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010588938.1 【申请日】2010-12-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102079978A 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102079978B 【授权公告日】2013-01-30 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C09K11/88; C09K11/02; H01L33/50; H01L33/48 【发明人】张家雨; 王凯; 杨伯平; 崔一平 【主权项内容】1.一种量子点纳米材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)制备ZnSe量子点,提纯后溶于正己烷;(2)取(1)中的ZnSe量子点0.24mmol,加入油胺、十八碳烯,在氩气气氛下,加热到120℃,在此温度下停留5-6分钟,注入MnSt2/ODE,稳定5-6分钟后升温到270-280℃,停留5-6分钟,注入Se/TBP并在此温度下停留5-6分钟,注入ZnSt2/ODE,反应20-25分钟,得到量子点纳米材料,其中MnSt2、Se和ZnSt2的注入量分别为0.032-0.04mmol、0.48-0.49mmol、0.34-0.425mmol。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】9 【他引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】9
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