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消除微电子机械系统悬空结构粘附现象的方法专利

时间:2026-07-31    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 消除微电子机械系统悬空结构粘附现象的方法,其特征在于控制温度,在芯片的底部键合封装层形成键合体,所述的封装层的热膨胀系数大于芯片的热膨胀系数;控制降温幅度,使键合体温度降至室温或者比室温更低的温度。封装层的热膨胀系数为5.6×10-6~28×10-6/℃;材料为FR4(环氧玻璃布层压板)或者Al­2O3;厚度为50~1000µm。本发明只需利用常用的键合机,控制温度控制拉应力的大小即可实现MEMS悬空结构的解粘附,过程简单,设备要求低,可控制性强,并且可以批量化大生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010575850.6 【申请日】2010-12-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102040188A 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【发明人】陈志远; 宋竞; 唐洁影 【主权项内容】消除微电子机械系统悬空结构粘附现象的结构,其特征在于在芯片的底部键合封装层。 (,) 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】3 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】3

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