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功率柜阻容吸收的独立组合硬连接回路专利

时间:2026-07-30    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型公开了一种功率柜阻容吸收的独立组合硬连接回路,包括由串联的电阻和电容组成的阻容元件,所述阻容元件与可控硅并联连接,其特征在于:所述电阻与电容之间为金属硬连接。本实用新型的阻容吸收回路的独立组合硬连接回路,可有效提高阻容元件的散热性和稳定性,保证功率柜和励磁系统的安全、可靠运行。 【专利类型】实用新型 【申请人】国电南瑞科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】210061 江苏省南京市高新技术开发区高新路20号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】浦口区 【申请号】CN201020280043.7 【申请日】2010-08-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201758382U 【公开公告日】2011-03-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201758382U 【授权公告日】2011-03-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H02P9/14; H02M1/00; H05K7/20 【发明人】霍乾涛; 赵立民; 黄卫平; 何靖; 史玉华; 孙延良 【主权项内容】一种功率柜阻容吸收的独立组合硬连接回路,包括由串联的电阻和电容组成的阻容元件,所述阻容元件与可控硅并联连接,其特征在于:所述电阻与电容之间为金属硬连接。 【当前权利人】国电南瑞科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南京市高新技术开发区高新路20号 【专利权人类型】股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91320191726079387X

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