【摘要】 本发明公开了一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器。当衰减变化时，相位补偿技术被应用于MMIC设计中，减少插入相移，保证阻抗匹配。电路设计用到连通场效应晶体管(MESFET)和分流场效应晶体管(MESFET)的控制信号等效装载方法(即在大部分电路中拥有相同连通和分流门宽度)来简化电路，无需直流电路。MMIC在超宽频带内显示了优秀的性能，并用薄片内芯片检测证实了设计思路的可行。数字/模拟低插入相移的大动态范围的超宽带衰减器集成电路主要广泛应用于数字微波通信、移动通信、相控阵雷达、电子对抗、制导和仪器等电子系统设备中的电子部件。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210094 江苏省南京市孝陵卫200号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010555891.9 【申请日】2010-11-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102111122A 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【发明人】戴永胜; 於秋杉; 杨健; 张红; 郭永新; 盛卫星; 戴冰清; 陈曦; 陈少波; 王立杰; 周聪; 徐利 【主权项内容】一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器，其特征在于：包括第一联合控制电路、第二联合控制电路、一个衰减电路以及输入/输出端；第1总控电压(V1)、第11控制电压(Vc11)、第12控制电压(Vc12)、第13控制电压(Vc13)、第14控制电压(Vc14)、第15控制电压(Vc15)、第16控制电压(Vc16)构成第一联合控制电路，用以控制第1场效应晶体管(F1)、第2场效应晶体管(F2)、第01场效应晶体管(F01)和第02场效应晶体管(F02)的控制电压；第2总控电压(V2)、第21控制电压(Vc21)、第22控制电压(Vc22)、第23控制电压(Vc23)、第24控制电压(Vc24)、第25控制电压(Vc25)和第26控制电压(Vc26)构成第二联合控制电路，用以联合控制第3场效应晶体管(F3)、第4场效应晶体管(F4)、第5场效应晶体管(F5)、第6场效应晶体管(F6)、第32场效应晶体管(F32)、第42场效应晶体管(F42)、第52场效应晶体管(F52)和第62场效应晶体管(F62)的控制电压；由第1微带线(M1)、第2微带线(M2)、第3微带线(M3)、第4微带线(M4)、第5微带线(M5)、第6微带线(M6)、第7微带线(M7)、第12微带线(M12)、第22微带线(M22)、第32微带线(M32)、第42微带线(M42)、第52微带线(M52)、第62微带线(M62)、第72微带线(M72)、第1场效应晶体管(F1)、第2场效应晶体管(F2)、第01场效应晶体管(F01)、第02场效应晶体管(F02)、第3场效应晶体管(F3)、第4场效应晶体管(F4)、第5场效应晶体管(F5)、第6场效应晶体管(F6)、第32场效应晶体管(F32)、第42场效应晶体管(F42)、第52场效应晶体管(F52)、第62场效应晶体管(F62)、第1电阻(R1)、第2电阻(R2)、第3电阻(R3)、第4电阻(R4)、第12电阻(R12)、第22电阻(R22)、第32电阻(R32)、第42电阻(R42)以及输入/输出端口构成衰减电路，第一联合控制电路和第二联合控制电路共同控制该衰减电路，实现各种不同衰减度。 ： 【当前权利人】南京理工大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466007597C 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3

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