【摘要】 基于谐振腔阵列的集成单元是一种用于波长选择的具有多通道的微型谐振腔阵列结构，该阵列结构由多个多通道微型谐振腔2×2阵列单元组合而成，每个多通道微型谐振腔2×2阵列单元上设有4个微型谐振腔即第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)、4根垂直交叉放置的波导即第一波导(211)、第二波导(212)、第三波导(213)、第四波导(214)和四个调制电极；该阵列结构通过将谐振腔设置在输入输出波导的不同位置，改变其输入输出端口，从而实现光波的多向传输。该结构由微米/纳米集成光电子技术制作而成，具有体积小、重量轻、成本低等优点，适用于大规模生产。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210009 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】江宁区 【申请号】CN201020272222.6 【申请日】2010-07-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201716434U 【公开公告日】2011-01-19 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201716434U 【授权公告日】2011-01-19 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02B6/293 【发明人】孙小菡; 洪玮 【主权项内容】一种基于谐振腔阵列的集成单元，其特征在于该阵列结构由多个多通道微型谐振腔2×2阵列单元组合而成，每个多通道微型谐振腔2×2阵列单元上设有4个微型谐振腔即第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)、4根垂直交叉放置的波导即第一波导(211)、第二波导(212)、第三波导(213)、第四波导(214)和四个调制电极；其中，第一波导(211)、第二波导(212)与第三波导(213)、第四波导(214)垂直交叉放置构成井字形结构，第一微型谐振腔(111)位于第一波导(211)和第二波导(212)相交的第一象限，第二微型谐振腔(112)位于第一波导(211)和第四波导(214)相交的第三象限，第三微型谐振腔(113)位于第三波导(213)和第四波导(214)相交的第二象限，第四微型谐振腔(114)位于第二波导(212)和第四波导(214)相交的第四象限；第一调制电极(311)、第二调制电极(312)、第三调制电极(313)、第四调制电极(314)分别位于第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)旁。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】7 【被自引次数】4.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】7

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