【摘要】 本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法，主要是将碳头料破碎后分为三类，第一类物料为不含碳的硅块，其无需清洗处理；第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块，第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；上述第二、三类物料需经不同的碳硅分离液清洗，后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理；其中第二类物料的碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液，第三类物料的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液。本发明从分选碳头料开始，针对不同的物料采用不同的方法处理，可以提高效率和降低成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】特变电工新疆硅业有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市昆明路158号野马大厦七层 【申请人地区】中国 【申请人城市】乌鲁木齐市 【申请人区县】新市区 【申请号】CN201010195803.9 【申请日】2010-06-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102041510A 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102041510B 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23F1/24 【发明人】邹华; 银波; 宋高杰; 金晶; 王文; 张旭 【主权项内容】一种去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)碳头料破碎后分类：将破碎后的碳头料分为三类：第一类物料为不含碳的硅块，第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块，第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；(2)分类处理：(a)第一类物料无需清洗处理；(b)第二类物料先放入碳硅分离液清洗，后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理；所述碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，浓硝酸1～10份，高锰酸钾0.1～0.5份，清洗时间为2～8小时；(c)第三类物料的处理流程同第二类物料，不同之处在于，所述的的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，高锰酸钾0.1～0.3份，清洗时间8～24小时。 【当前权利人】新特能源股份有限公司 【当前专利权人地址】新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园 【引证次数】6.0 【被引证次数】9 【他引次数】6.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

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