【摘要】 本发明公开了一种常压开放体系溶剂热合成I-III-VI族半导体材料的方法。将金属盐和硫源或硒源按预期产物的摩尔配比加入烧杯内，然后加入溶剂，混合均匀后倒入能加热、能搅拌的开放式反应器；升温至额定温度60-190℃后保温额定时间1-12h；期间可根据结构需要多次添加反应物；最终产物经过离心洗涤获得目标粉体；粉体化学组成由加入原料配比控制，粉体的结构由加料顺序和合成温度控制共同决定；所述溶剂为水、乙二胺、乙二醇、联胺和乙醇中的一种或多种；所述金属盐为Cu、In和Ga的金属盐；所述硫源为硫脲或硫粉；所述硒源为硒粉或亚硒酸。本发明成本低、反应装置简单，反应速度快以及反应过程可控性和可干预性强。 【专利类型】发明申请 【申请人】桂林理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】桂林市 【申请人区县】七星区 【申请号】CN201010534208.3 【申请日】2010-11-05 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102060273A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】龙飞 【主权项内容】一种常压开放体系溶剂热合成I‑III‑VI族半导体材料的方法，其特征在于具体步骤为：将金属盐和硫源或硒源按预期产物的摩尔配比加入烧杯内，然后加入溶剂，混合均匀后倒入能加热、能搅拌的开放式反应器；升温至额定温度60‑190℃后保温额定时间1‑12h；期间可根据结构设计的需要多次添加反应物；最终产物经过离心洗涤、真空干燥后获得目标粉体。粉体化学组成由加入原料配比控制，粉体的结构由加料顺序和合成温度控制共同决定；所述溶剂为水、乙二胺、乙二醇、联胺和乙醇中的一种或多种；所述金属盐为Cu、In和Ga的金属盐；所述硫源为硫脲或硫粉；所述硒源为硒粉或亚硒酸。 【当前权利人】桂林理工大学 【当前专利权人地址】广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12450000498671388Q 【被引证次数】15 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】15

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