【摘要】 ： 一种应用于通信基站的空调器，包括：若干个N型和P型半导体颗粒交错排列而成的半导体颗粒层，此N型和P型半导体颗粒之间以导体相串联；一直流电源，用于提供所述空调控制器的电压；第一、第二继电器和第一、第二N型MOS管，其中第一继电器和第二继电器各自一端分别与所述直流电源的正极连接，第一继电器另一端与所述第一N型MOS管一端连接，第二继电器另一端与所述第二N型MOS管一端连接，第一N型MOS管和第二N型MOS管另一端与所述直流电源的负极连接；所述半导体颗粒层的N极连接到第二继电器与第二N型MOS管的接点，所述半导体颗粒层的P极连接到第一继电器与第一N型MOS管的接点。本发明空调器功耗小、制冷和制热模式转换稳定性强。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州新海宜通信科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215000 江苏省苏州市工业园区泾茂路168号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010593949.9 【申请日】2010-12-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102012073A 【公开公告日】2011-04-13 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102012073B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【发明人】叶建彪; 王浩东 【主权项内容】一种应用于通信基站的空调器，其特征在于：包括：若干个N型和P型半导体颗粒交错排列而成的半导体颗粒层，此N型和P型半导体颗粒之间以导体相串联，此半导体颗粒层一端为P极，另一端为N极，所述半导体颗粒层一端设有导热层，另一端设有散热层，当所述半导体颗粒层的P极电压高于半导体颗粒层的N极电压，则半导体颗粒层处于制冷状态，当所述半导体颗粒层的N极电压高于半导体颗粒层的P极电压，则半导体颗粒层处于制热状态；一直流电源，用于提供所述空调控制器的电压；第一、第二继电器(K1、K2)和第一、第二N型MOS管(Q1、Q2)，其中第一继电器(K1)和第二继电器(K2)各自一端分别与所述直流电源的正极连接，第一继电器(K1)另一端与所述第一N型MOS管一端连接，第二继电器(K2)另一端与所述第二N型MOS管(Q2)一端连接，第一N型MOS管(Q1)和第二N型MOS管(Q2)另一端与所述直流电源的负极连接；所述半导体颗粒层的N极连接到第二继电器(K2)与第二N型MOS管(Q2)的接点，所述半导体颗粒层的P极连接到第一继电器(K1)与第一N型MOS管(Q1)的接点；一控制器，此控制器设有用于控制第一继电器(K1)通断的第一控制引脚(B‑TL)、用于控制第一N型MOS管(Q1)通断的第二控制引脚(B‑BL)、用于控制第二继电器(K2)通断的第三控制引脚(B‑TR)和用于控制第二N型MOS管(Q2)通断的第四控制引脚(B‑BR)，所述第一控制引脚(B‑TL)与第一继电器(K1)之间设有第一反相器，所述第三控制引脚(B‑TR)与第二继电器(K2)之间设有第二反相器； 当由制热模式转变为制冷模式时，所述控制器先将第二控制引脚(B‑BL)置高电平而关闭第一N型MOS管(Q1)，再将第三控制引脚(B‑TR)置低电平而关闭第二继电器(K2)，再将第一控制引脚(B‑TL)置高电平而开启第一继电器(K1)，再将第四控制引脚(B‑BR)置低电平而开启第二N型MOS管(Q2)；当由制冷模式转变为制热模式时，所述控制器先将第四控制引脚(B‑BR)置高电平而关闭第二N型MOS管(Q2)，再将第一控制引脚(B‑TL)置低电平而关闭第一继电器(K1)，再将第三控制引脚(B‑TR)置高电平而开启第二继电器(K2)，再将第二控制引脚(B‑BL)置低电平而开启第一N型MOS管(Q1)。 【当前权利人】苏州新海宜通信科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区泾茂路168号 【专利权人类型】股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91320000134847864G

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