【摘要】 本发明揭示了一种新型的连续垂直热蒸发的金属镀膜方法，通过底部热蒸发源将金属膜料蒸镀到热蒸发源上方的样品之上，其特征在于：在热蒸发源与样品输送机构之间设一狭缝型准直装置，将从热蒸发源射出的发散性金属分子过滤，形成垂直朝向样品基材的金属分子流；其中所述准直装置的狭缝深宽比小于样品基材表面浮雕结构的深宽比的一半。本发明的应用实施，只允许接近垂直方向飞行的金属分子沉积到基底材料表面，有利于减低或消除基底材料表面浮雕结构的侧壁沉积，避免浮雕结构顶部与底部的金属薄膜互连，增强形成金属线栅偏振技术所需要的双层金属线栅结构。 【专利类型】发明授权 【申请人】崔铮 【申请人类型】个人 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区林泉路621号MBA公寓912室 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010193192.4 【申请日】2010-06-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101845610B 【公开公告日】2011-12-07 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101845610B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C14/22; C23C14/24; C23C14/56; C23C14/14; G02B5/30 【发明人】崔铮 【主权项内容】一种连续垂直热蒸发的金属镀膜方法，通过底部热蒸发源将金属膜料蒸镀到热蒸发源上方的样品之上，其特征在于：在热蒸发源与样品输送机构之间设一狭缝型准直装置，将从热蒸发源射出的发散性金属分子过滤，形成垂直朝向样品基材的金属分子流；其中所述准直装置的狭缝深宽比小于样品基材表面浮雕结构的深宽比的一半，所述准直装置下端面与热蒸发源的距离D及蒸发源坩埚的横向尺寸w之间满足：其中H为狭缝深度、G为狭缝宽度，且所述样品基材的蒸镀表面与所述准直装置上端面间的距离L满足：L≤0.5H，其中H为狭缝深度。FSB00000551784600011.tif 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区若水路398号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

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