【摘要】 本发明属于半导体照明领域，本发明公开一种内嵌式大功率发光二极管(LED)模块的封装方法及封装结构，该模块可用于各种LED照明灯具的组装。所述内嵌式大功率LED模块封装方法包括：(1)在金属薄板上冲压阵列式凹坑；(2)用电镀方法制作银膜作为光反射层；(3)在此金属基板上采用丝网印刷制作电极隔离层和正负电极图形，并将各个正负电极窗口串并联起来；(4)将LED芯片固定于凹坑内，在芯片表面涂刷荧光粉，经引线、灌胶、加热固化成型。本发明制作工艺简单、成本低廉、模块散热效果好，适宜大规模生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州纳晶光电有限公司; 苏州君耀光电有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010564822.4 【申请日】2010-11-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102064247A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】王怀兵; 王峰; 孔俊杰; 戴劲松; 祝运芝 【主权项内容】一种内嵌式发光二极管封装方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在散热基板上设置多个凹坑作为内嵌发光二极管芯片的金属散热模块整体；2)在散热基板表面由下至上对应设置电极绝缘层、正负电极图形，正负电极图形之间设置电极串并联金属互联线；并确保正负电极区、金属互联线与金属散热模块间绝缘性良好，防止互联电路短路；3)在正负电极图形区、凹坑内表面设置金属银层；4)将发光二极管芯片用导热胶固定于凹坑底部；5)将正负电极与发光二极管芯片的P、N极用金线相连，确保发光二极管芯片电极与对应的正负电极图形金属互联；6)对引线好的凹坑中的发光二极管芯片进行荧光粉均匀喷涂；7)最后在凹坑正上方盖上透镜并在内埋发光二极管芯片的凹坑中注入透明硅胶，通过加热固化成型，制作完成所需要的内嵌式发光二极管集成模块整体。 【当前权利人】苏州纳晶光电有限公司; 苏州君耀光电有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号; 江苏省苏州市苏州工业园区蒌葑镇东富路15号创投工业小区9号厂房 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320594670988070P 【被引证次数】12 【被他引次数】12.0 【家族被引证次数】12

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