【摘要】 在半导体晶片中提供贯穿晶片互连，包括在半导体晶片的可能凹陷部分内形成牺牲膜(110)；沉积金属化(124)于该晶片的一面上，从而覆盖面向该晶片这一面的该牺牲膜的露出部分；可能地在蚀刻之后除去以露出面向该晶片另一面的该牺牲膜的露出部分；以及沉积金属化(130)于该晶片的另一面上，从而接触先前沉积的金属化。还披露了使用薄金属膜提供电容性和其它结构的技术。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200780035751.5 【申请日】2007-09-25 【申请年份】2007 【公开公告号】CN101517729B 【公开公告日】2011-08-10 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101517729B 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】利奥尔·夏夫 【主权项内容】一种在具有第一面和第二面的半导体晶片中提供贯穿晶片互连的方法，该方法包括：在该晶片的第二面内蚀刻形成一个或多个微通孔；在该第二面上提供蚀刻停止层，其中该蚀刻停止层覆盖该一个或多个微通孔中的表面；在该晶片的该第一面内蚀刻形成腔体至一深度，使得在该一个或多个微通孔蚀刻形成的区域中，该蚀刻停止层的部分在该腔体内露出，其中蚀刻该腔体至一深度，使得该腔体的深度和该一个或多个微通孔的平均深度之和超过该晶片的总厚度；沉积金属化于该晶片的一面上；随后从与该一个或多个微通孔蚀刻形成位置相对应的区域除去该蚀刻停止层的区域；以及沉积金属化于该晶片的另一面上，使得在与该一个或多个微通孔蚀刻形成位置相对应的区域内，沉积在该第一面上的金属化与沉积在该第二面上的金属化接触以形成该贯穿晶片互连。。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】11

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