【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件,包括:P型衬底及其上设埋氧层,在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层,Ⅰ区包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区,在硅表面设有场氧化层
【摘要】 1.本外观设计产品的名称:拖鞋(二)。2.本外观设计产品的用途:后跟是全空的鞋子的一种。3.本外观设计的设计要点:产品的花纹图案。4.最能表明设计要点的图片或者照片:主视图。5.其他视图无设计要点,故省略其他视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】李君 【申请人类型】个人 【申请人地址】214000 江苏省无锡市锡山区春江花园C区388号902 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201030583019.6 【申请日】2010-10-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301509274S 【公开公告日】2011-04-13 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301509274S 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【发明人】李君 【主权项内容】无 【当前权利人】李君 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山区春江花园C区388号902
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