【摘要】 ： 本发明公开了一种沟槽式二极管芯片的制造方法，包含以下步骤：第一步，在一基板上蚀刻出纵横交错的沟槽；第二步，填充保护胶层于基板上的复数沟槽中，保护胶层为玻璃粉与聚酯的混和物；第三步，切割保护胶层，对保护胶层进行切割，使保护胶层形成一延伸至沟槽底面的分隔道；第四步，对基板升温烘烤，以烧除保护胶层中的聚酯而留下玻璃粉，并持续升温烧结该玻璃粉，使其形成一玻璃保护层，其中，前述分隔道形成为一切割道；第五步，沿切割道对基板进行切割，以获得二极管芯片。由于切割道形成于未被玻璃保护层所覆盖处，故切割时得以避开玻璃保护层而不会导致该玻璃保护层破损，其次，制造方法较简单且节省成本，省去在先前技术中，使用黄光制程以形成在沟槽侧壁保护胶层的部分。 【专利类型】发明申请 【申请人】强茂电子(无锡)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术开发区汉江路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010525778.6 【申请日】2010-10-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101982872A 【公开公告日】2011-03-02 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/329; H01L21/301 【发明人】林加斌; 许资彬 【主权项内容】一种沟槽式二极管芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：    第一步，在一基板上蚀刻出纵横交错的沟槽；    第二步， 填充保护胶层于基板上的复数沟槽中，保护胶层为玻璃粉与聚酯的混和物；    第三步，切割保护胶层，对保护胶层进行切割，使保护胶层形成一延伸至沟槽底面的分隔道；    第四步，对基板升温烘烤，以烧除保护胶层中的聚酯而留下玻璃粉，并持续升温烧结该玻璃粉使其形成一玻璃保护层，其中，前述分隔道形成为一切割道；第五步，沿切割道对基板进行切割，以获得二极管芯片。 【当前权利人】强茂电子(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术开发区汉江路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】913202147168950739 【引证次数】7.0 【被引证次数】4 【他引次数】7.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】4

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