【摘要】 本发明揭露了一种MOS管，其包括多个矩形重复单元，该矩形重复单元包括有第一矩形边和与其相对且平行的第二矩形边、第三矩形边和与其相对且平行的第四矩形边，还包括有位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第一矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第一带状栅极和位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第二矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第二带状栅极。同时本发明的MOS管还可以采用较大的漏极间距。本发明中的MOS管，一方面利用折叠带状的栅极达到了较大的导电沟道宽长比和节省面积的目的；另一方面，当漏极接触孔采取较大的漏极间距，可以达到较好的静电防护效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中星微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦10层 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010530878.8 【申请日】2010-11-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102044567A 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102044567B 【授权公告日】2012-07-25 【授权公告年份】2012.0 【发明人】王钊; 杨晓东 【主权项内容】一种MOS管，其包括多个矩形重复单元，所述矩形重复单元包括有第一矩形边、与第一矩形边相对且平行的第二矩形边、第三矩形边和与第三矩形边相对且平行的第四矩形边，其特征在于，所述矩形重复单元包括：位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第一矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第一带状栅极和位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第二矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第二带状栅极；2n个矩形漏极半接触孔，其中n个矩形漏极半接触孔的一长边与第一矩形边重合，并沿所述第一矩形边居中分布；另外n个矩形漏极半接触孔的一长边与第二矩形边重合，并沿所述第二矩形边居中分布；和2n个矩形源极半接触孔，其中n个矩形源极半接触孔的一长边与第三矩形边重合，并沿所述第三矩形边居中分布；另外n个矩形源极半接触孔的一长边与第四矩形边重合，并沿所述第四矩形边居中分布，其中n为大于等于1的自然数。FDA0000030718740000011.tif, FDA0000030718740000012.tif 【当前权利人】无锡中感微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】913202006925820711 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5

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