【摘要】 一种导电插塞的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中包含有接触孔，所述介电层上及接触孔中形成有扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上至少分两次淀积导电材料，直至填满所述接触孔的开口，其中，在两次淀积导电材料之间对所述导电材料进行等离子体轰击。本发明的导电插塞的制作方法采用等离子体轰击导电材料的方法拓宽接触孔开口的孔径，所述接触孔中形成的导电插塞中不会形成有缝隙，从而提高了器件的可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010208048.3 【申请日】2010-06-21 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102290370A 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】周祖源; 孟昭生; 平延磊 【主权项内容】一种导电插塞的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中包含有接触孔，所述介电层上及接触孔中形成有扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上至少分两次淀积导电材料，直至填满所述接触孔的开口，其中，在两次淀积导电材料之间对所述导电材料进行等离子体轰击。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】6.0 【被引证次数】3 【他引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】3

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