【摘要】1.该外观设计产品的名称为型材(C010)。2.该外观设计产品的用途为制作门窗。3.该外观设计的要点为型材的形状。4.主视图用于出版专利公报。5.该外观设计产品为细长物品，俯视图、仰视图、左视图、右视图采用省略画法。【专利类型】外观
【摘要】 本发明公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。该设计解决了由辐射所产生的总剂量效应(TID)对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响。本发明由以下部分组成：1)利用HVNMOS技术，对相邻的EEPROM存储单元进行隔离。2)用于隔离的管子栅接-2V的电压。该阵列设计抗总剂量能力达到300 KRad(Si)以上，隔离后相邻单元之间不存在漏电流通路。在抗辐射加固的同时，没有影响到存储单元阵列本身的存储性能。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214037 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部101研究室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010295040.5 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101982882B 【公开公告日】2011-10-26 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101982882B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L29/423 【发明人】王晓玲; 封晴; 田海燕; 赵桂林; 李珂; 肖培磊 【主权项内容】1. 一种抗辐射EEPROM存储阵列结构，其特征在于：利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接-1V到-3V的电压。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部101研究室 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
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