【摘要】 -官网 本发明公开了去除光刻胶的方法及装置，其优点是能除净光刻胶及其表面的钝化层，属于半导体制造领域，其方法包括如下步骤：a.分别加热硫酸、双氧水达到60～90℃，同时加热去离子水达到70～100℃；b.将步骤a中所述的三种化学溶液混合，并等待其温度达到120～170℃；c.将步骤b所得的混合溶液进行微波加热至200℃以上；d.将步骤c所得的高温溶液喷洒至需要去除光刻胶的基体的表面。前述装置包括硫酸加热单元、去离子水加热单元、双氧水加热单元，三个加热单元连接同一个混合罐，混合罐连接微波加热单元，微波加热单元连接除胶装置，硫酸加热单元以及双氧水加热单元为由加热器、过滤器以及储罐构成的循环加热系统。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡科硅电子技术有限公司; 陈波 【申请人类型】企业,个人 【申请人地址】214072 江苏省无锡市滨湖区滴翠路100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010242760.5 【申请日】2010-08-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101943868A 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101943868B 【授权公告日】2012-12-19 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G03F7/42 【发明人】陈波 【主权项内容】去除光刻胶的方法，其特征在于包括如下步骤：a.分别加热硫酸、双氧水达到60～90℃，同时加热去离子水达到70～100℃；b.将步骤a中所述的三种化学溶液混合，并等待其温度达到120～170℃；c.将步骤b所得的混合溶液进行微波加热至200℃以上；d.将步骤c所得的高温溶液喷洒至需要去除光刻胶的基体的表面。 【当前权利人】无锡科硅电子技术有限公司; 陈波 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区滴翠路100号; 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913202115511795611 【引证次数】6.0 【被引证次数】7 【他引次数】6.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

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