【摘要】1.外观设计产品名称：丝袜(62)。2.外观设计产品用途：用于修饰双腿、防寒保暖。3.外观设计的设计要点：产品表面透明的网格线构成的网格图案。4.指定A处局部放大图用于出版专利公报。5.后视图、左视图、右视图均是由和主视图相同的网格
【摘要】 本实用新型公开了一种量子阱红外探测器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，利用MBE或者MOCVD技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本实用新型的量子阱结构GaAs势阱层的厚度为所述AlxGa1-xAs势垒层的厚度的15～20倍，多量子阱层一个周期的厚度为80～120nm，多量子阱层的周期数为15～20，使探测器能够在室温或者准室温状态工作，吸收系数达30％以上，实现了对暗电流的有效抑制，从而大大减小了器件噪声，探测率可达到或者接近理论极限值，响应速度高于1GHz，最高可达100GHz。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡沃浦光电传感科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214122 江苏省无锡滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020187207.1 【申请日】2010-05-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201699035U 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201699035U 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/101; H01L31/0304 【发明人】刘燕君 【主权项内容】一种量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底层，在所述GaAs衬底层上通过分子束外延技术或金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs下电极层；先势垒后势阱交替生长多个周期形成的多量子阱层；AlxGa1‑xAs势垒层；n型掺杂的GaAs上电极层；其特征在于，所述的多量子阱层，每个周期包括一个AlxGa1‑xAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlxGa1‑xAs势垒层的厚度为所述GaAs势阱层的厚度的15～20倍，所述的多量子阱层一个周期的厚度为80～120nm，所述的多量子阱层的周期数为15～20。 该数据由<>整理 【当前权利人】无锡沃浦光电传感科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 【专利权人类型】有限责任公司 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】4
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