【摘要】 本发明涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层；c、涂布光刻胶；d、对衬底及光刻胶进行热处理；e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；f、用EKC溶液清洗；g、再次淀积绝缘介质层；h、再次涂布光刻胶；i、对上述衬底及光刻胶进行热处理；j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；k、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗。本发明工艺步骤简单有效，加工成本低廉，平坦化效果好，安全可靠。。微信 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010545902.5 【申请日】2010-11-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097311A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097311B 【授权公告日】2012-08-29 【授权公告年份】2012.0 【发明人】肖志强; 黄蕴; 张明; 吴建伟 【主权项内容】一种平坦化方法，其特征是，所述平坦化方法包括如下步骤：(a)、提供衬底，所述衬底上设置底层金属连线；(b)、在上述衬底上，淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；(c)、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶；(d)、对上述衬底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；(e)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；(f)、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗，清除衬底上的光刻胶；(g)、上述衬底上，再次淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；(h)、在上述再次淀积得到的绝缘介质层上涂布光刻胶；(i)、对上述衬底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；(j)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；(k)对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗，清除衬底上的光刻胶。。： 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

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