【摘要】 本实用新型提供了一种应用于模数转换器的高线性度CMOS自举开关电路，高线性度CMOS自举开关的导通电阻只与电源电压、MOS管载流子迁移率、单位面积栅氧化层电容、MOS管宽长比和MOS管衬偏电压为0时阈值电压有关，在开关导通时的过驱动电压为两倍电源电压。与现有的基本栅压自举开关相比，本实用新型高线性度CMOS自举开关有更好的线性度和更小的导通电阻，具有更快的采样速度，可以采样更高频的信号，非常适合与应用于高速高精度模数转换器中。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020562558.6 【申请日】2010-10-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201887738U 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201887738U 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03K17/567 【发明人】陈珍海; 季惠才; 黄嵩人; 于宗光 【主权项内容】一种高线性度CMOS自举采样开关电路，其特征是包括：第一PMOS管(M1)、第NMOS管(M2)的源极分别接电源电压和地电压，漏极分别与第一电容(C1)的上下极板相接于第二节点(2)和第一节点(1)，栅极分别接第三节点(G)和时钟(CK)；第五PMOS管(M5)的源极、栅极、漏极和衬底分别接到第二节点(2)、时钟(CK)、第三节点(G)和第二节点(2)；第四NMOS管(M4)、第七PMOS管(M7)的漏极和第六NMOS管(M6)的漏极相接于第四节点(4)；第四NMOS管(M4)的栅极、源极分别接到电源电压和第三节点(G)；第七PMOS管(M7)的栅极、源极分别接到时钟(CK)和电源电压；第六NMOS管(M6)的栅极、源极分别接到时钟(CK)和地电压；第三NMOS管(M3)的源极、栅极、漏极分别接到第一节点(1)、第三节点(G)和信号输入节点(Vin)；第零开关NMOS管(Ms)的源极、漏极、栅极分别接输入节点(Vin)、输出节点(Vout)、第三节点(G)；第八NMOS管(M8)的漏极、栅极、源极分别接到第二电容(C2)的底极板、时钟(CK)和地电压；第九PMOS管(M9)的漏极与第二电容(C2)的上极板相接于第五节点(5)，第九PMOS管(M9)栅极、源极分别接到第三节点(G)和电源电压；第十NMOS管(M10)的漏极、栅极、源极分别接到第五节点(5)、第三节点(G)和第一节点(1)；第十一NMOS管(M11)的漏极、栅极、源极分别接到第零开关NMOS管(Ms)的衬底、第三节点(G)和输入节点(Vin)；第十NMOS管(M12)的漏极、栅极、源极分别接到第零开关NMOS管(Ms)的衬底、时钟CK和地电压；其中第一PMOS管(M1)、第七PMOS管(M7)和第九PMOS管(M9)的衬底均接电源电压；第零NMOS管(Ms)为深N阱NMOS管。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 【被引证次数】27 【被自引次数】3.0 【被他引次数】24.0 【家族被引证次数】27

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