【摘要】 本发明涉及一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其包括如下步骤：a、在多晶硅淀积舟的插槽内间隔安装假片，通过离子注入设备对假片进行至少两次多晶硅淀积；b、安装衬底，衬底上生长氧化层；c、离子注入设备对衬底进行多晶硅淀积；d、对多晶硅薄膜层进行离子注入；e、在多晶硅薄膜层涂布光刻胶；f、刻蚀多晶硅薄膜层；g、多晶硅薄膜层进行源漏注入；h、去除光刻胶；i、在上述多晶硅薄膜层上得到金属前介质薄膜；j、对衬底上的多晶硅薄膜层进行退火工艺；k、在金属前介质薄膜上得到接触孔；l、在所述接触孔内淀积金属材料，形成金属连线。本发明能改善多晶硅薄膜电阻工艺的工序能力，工艺操作简单，降低加工成本，安全可靠。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010589424.8 【申请日】2010-12-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102110593A 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102110593B 【授权公告日】2012-05-09 【授权公告年份】2012.0 【发明人】肖志强; 张继; 吴建伟; 徐政 【主权项内容】一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其特征是，所述提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法包括如下步骤：(a)、提供离子注入设备及多晶硅淀积舟(9)，在所述多晶硅淀积舟(9)的插槽(10)内间隔安装假片，通过离子注入设备对假片进行至少两次多晶硅淀积，使离子注入设备达到所需的真空度；(b)、在所述多晶硅淀积舟(9)的插槽(10)内均匀安装衬底(1)，并在所述衬底(1)上热氧化生长一层氧化层(2)；(c)、所述离子注入设备对衬底(1)进行多晶硅淀积，在衬底(1)上形成多晶硅薄膜层(3)；(d)、对所述多晶硅薄膜层(3)进行离子注入，使多晶硅薄膜层(3)达到所需的方块电阻值；(e)、在离子注入后的多晶硅薄膜层(3)涂布光刻胶(8)，并选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶(8)；(f)、利用位于多晶硅薄膜层(3)上的光刻胶(8)，刻蚀多晶硅薄膜层(3)，得到相应的多晶硅薄膜层(3)，并去除多晶硅薄膜层(3)上的光刻胶(8)；(g)、在多晶硅薄膜层(3)上再次涂布光刻胶(8)，并利用光刻胶(8)对多晶硅薄膜层(3)进行源漏注入，在多晶硅薄膜层(3)上得到相应的重掺杂区；(h)、去除多晶硅薄膜层(3)上的光刻胶(8)；(i)、在上述多晶硅薄膜层(3)上进行金属前介质淀积，得到金属前介质薄膜(4)；所述金属前介质薄膜(4)包围多晶硅薄膜层(3)，并覆盖于衬底(1)上；(j)、对衬底(1)上的多晶硅薄膜层(3)进行退火工艺，激活多晶硅薄膜层(3)内注入的掺杂离子；(k)、对上述金属前介质薄膜(4)进行孔光刻和刻蚀，在金属前介质薄膜(4)上得到接触孔(6)，所述接触孔(6)从金属前介质薄膜(4)的表面向下延伸到多晶硅薄膜层(3)的重掺杂区；(l)、在所述接触孔(6)内淀积金属材料，在金属前介质薄膜(4)上形成金属层，选择性地掩蔽和刻蚀金属层，形成金属连线(5)，所述金属连线(5)填充在接触孔(6)内，并与多晶硅薄膜层(3)的重掺杂区相欧姆接触。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【被引证次数】14 【被他引次数】14.0 【家族被引证次数】14

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