【摘要】一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件,包括型半导体衬底,在半导体衬底上设有埋氧层,在埋氧层上设有P外延层,在P外延层上面设有N型漂移区与P阱区,在P阱区表面设有N型源区和P型接触区,在N型漂移区上设有N型缓冲区,P型漏区,在P外
【摘要】 1.产品名称:椅子(353)。2.产品用途:用作座椅。3.产品的形状为设计要点。4.产品的立体图最能表明设计要点。 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030588947.1 【申请日】2010-10-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301556713S 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301556713S 【授权公告日】2011-05-25 【授权公告年份】2011.0 【发明人】张寒凝; 许继峰 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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