【摘要】 本发明涉及一种MOS器件及其制造方法，尤其是一种沟槽型大功率MOS器件及其制造方法。按照本发明提供的技术方案，所述沟槽型大功率MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构，所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；通过加深分压保护区内第二导电类型层深度和浓度，增大了分压保护区阱区周边的曲率，抑制了电场集中，提高了耐压。本发明特征电阻低、耐压能力高、可靠性高、工艺简单及成本低廉。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区华清路太湖科技中心8楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010003953.5 【申请日】2010-01-08 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101752423B 【公开公告日】2011-05-11 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101752423B 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L21/336 【发明人】朱袁正; 叶鹏; 丁磊; 冷德武 【主权项内容】一种沟槽型大功率MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，有包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；其特征是：在所述MOS器件的截面上，所述分压保护区内的第二导电类型层与第一导电类型外延层间构成PN结，所述元胞区与截止保护区内对应的第二导电类型层为同一制造层，所述分压保护区内对应的第二导电类型层的深度大于元胞区与截止保护区内对应的第二导电类型层的深度；在所述截面上，所述分压保护区与截止保护区利用场氧化层及场氧化层下方的第一导电类型外延层相隔离；所述分压保护区内第二导电类型层与邻近的截止保护区内第二导电类型层间的水平距离大于第一导电类型外延层的厚度；第一导电类型层包括位于半导体基板底部的第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上面的第一导电类型外延层，以及位于第一导电类型外延层上部的第一导电类型注入区；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层的上部；所述第一导电类型衬底的底面为半导体基板的第二主面，第一导电类型外延层的表面为半导体基板的第一主面；在所述MOS器件的截面上，所述分压保护区内设置栅极引出端沟槽，所述栅极引出端沟槽位于第二导电类型层内，栅极引出端沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，栅极引出端沟槽内淀积有导电多晶硅，所述栅极引出端沟槽的上部设有第二欧姆接触孔，第二欧姆接触孔内设置接触孔填充金属；所述栅极引出端沟槽上方设有栅极金属，所述栅极金属与第二欧姆接触孔内的接触孔填充金属连接成等电位；所述分压保护区对应于设置第二欧姆接触孔外的其余部分由绝缘介质覆盖。 【当前权利人】无锡新洁能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】5.0 【被引证次数】10 【他引次数】5.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】34

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