【摘要】 一种浅沟槽隔离形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010189054.9 【申请日】2010-05-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263052A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102263052B 【授权公告日】2015-06-17 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】H01L21/762 【发明人】王乐 【主权项内容】一种浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3

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