【摘要】 本发明公布了一种基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路，包括带隙基准电流产生电路、反馈控制环路、温度调节电路和输出电路，其中带隙基准电流产生电路由四个PMOS管、两个NMOS管、两个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制环路由两个PMOS管、两个NMOS管和两个PNF三极管构成，温度调节电路由两个NMOS管构成，输出电路由两个PMOS管、四个电阻和一个PNP三极管组成。本发明电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比和较高的工艺稳定性。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡市晶源微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010222342.X 【申请日】2010-07-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101881986B 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101881986B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G05F3/30 【发明人】聂卫东; 吴金; 朱伟民; 李浩; 景苏鹏; 尹岱; 盛慧红; 渠宁 【主权项内容】一种基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路，其特征在于包括带隙基准电流产生电路、反馈控制环路、温度调节电路和输出电路；其中带隙基准电流产生电路由四个PMOS管、两个NMOS管、两个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制环路由两个PMOS管、两个NMOS管和两个PNP三极管构成，温度调节电路由两个NMOS管构成，输出电路由两个PMOS管、一个PNP三极管、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)组成；带隙基准电流产生电路：第一PMOS管(PM1)和第三PMOS管(PM3)的源极分别接电源(VDD)，第一PMOS管(PM1)的栅极分别接第三PMOS管(PM3)的栅极、第二PMOS管(PM2)的漏极和第一NMOS管(NM1)的漏极，第一PMOS管(PM1)的漏极接第零PMOS管(PM0)的源极，第三PMOS管(PM3)的漏极接第二PMOS管(PM2)的源极，第零PMOS管(PM0)的漏极接第零NMOS管(NM0)的漏极，第零PMOS管(PM0)的栅极接第二PMOS管(PM2)的栅极，第零NMOS管(NM0)的栅极接第一NMOS管(NM1)的栅极，第零NMOS管(NM0)的源极接第零电阻(R0)的一端，第一NMOS管(NM1)的源极接第一PNP三极管(Q1)的发射极，第零电阻(R0)的另一端接第一电阻(R1)的一端，第一电阻(R1)的另一端接第零PNP三极管(Q0)的发射极，第零PNP三极管(Q0)的集电极和基极、第一PNP三极管(Q1)的集电极和基极连接接地(GND)；反馈控制环路：第六PMOS管(PM6)和第七PMOS管(PM7)的源极分别接电源(VDD)，第六PMOS管(PM6)的栅极分别接第零PMOS管(PM0)的栅极、第二NMOS管(NM2)的漏极和第六PMOS管(PM6)的漏极，第七PMOS管(PM7)的栅极接第零PMOS管(PM0)的漏极，第七PMOS管(PM7)的漏极分别接第三NMOS管(NM3)的漏极和栅极、第零NMOS管(NM0)的栅极、第一NMOS管(NM1)的栅极和第二NMOS管(NM2)的栅极，第三NMOS管(NM3)的源极接第三PNP管(Q3)的发射极，第二NMOS管(NM2)的源极接第二PNP管(Q2)的发射极，第三PNP管(Q3)的集电极和基极、第二PNP管(Q2)的基极和集电极连接接地(GND)；温度调节电路：第四NMOS管(NM4)的漏极和源极分别与第零电阻(R0)的两端连接，第四NMOS管(NM4)的栅极与第二电阻(R2)的一端连接，第五NMOS管(NM5)的漏极和源极分别与第四电阻(R4)的两端连接，第五NMOS管(NM5)的栅极与第二电阻(R2)的一端连接；输出电路：第五PMOS管(PM5)的源极接电源(VDD)，第五PMOS管(PM5)的漏极接第四PMOS管(PM4)的源极，第五PMOS管(PM5)的栅极接第一PMOS管(PM1)的栅极，第四PMOS管(PM4)的漏极依次串接第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)后接第四PNP管(Q4)的发射极，第四PMOS管(PM4)的栅极接第零PMOS管(PM0)的栅极，第四PNP管(Q4)的基极和集电极连接后接地(GND)。 【当前权利人】无锡市晶源微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区锡锦路5号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913202147487369823 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】25

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