【摘要】 ： 一种互补金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有N阱和P阱，所述N阱和P阱上分别形成有PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极结构；在半导体衬底上形成P型掺杂介电层；图形化所述P型掺杂介电层，露出P阱及P阱上NMOS晶体管的栅极结构；对P阱进行离子注入，形成NMOS晶体管的重掺杂区；对半导体衬底进行退火处理，所述退火处理使得N阱上P型掺杂介电层中的掺杂离子向N阱扩散，形成了PMOS晶体管的重掺杂区。通过自掺杂扩散工艺实现P型重掺杂区的离子掺杂，避免了P型重掺杂区中掺杂离子的二次扩散效应，使得PMOS晶体管重掺杂区的结深与NMOS晶体管的结深匹配。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010187609.6 【申请日】2010-05-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263063A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/225 【发明人】桂林春; 张明敏; 邵永军; 王乐 【主权项内容】一种互补金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有N阱和P阱，所述N阱和P阱上分别形成有PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极结构；在半导体衬底上形成P型掺杂介电层；图形化所述P型掺杂介电层，露出P阱及P阱上NMOS晶体管的栅极结构；对P阱进行离子注入，形成NMOS晶体管的重掺杂区；对半导体衬底进行退火处理，所述退火处理使得N阱上P型掺杂介电层中的掺杂离子向N阱扩散，形成了PMOS晶体管的重掺杂区。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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