【摘要】 一种制造标准晶圆的方法，所述方法包括：通过基准光刻设备对晶圆进行光刻，在所述光刻中，将光刻版上的基准图形曝光在晶圆上，在晶圆上形成校准图形，曝光时只对光刻版中央区域的基准图形曝光。通过所述方法制造的标准晶圆受投影物镜畸变的影响较小，校准精度高，可适用于各种类型的光刻机，所述制造标准晶圆的方法具有较大的灵活性，并且通过所述方法制造出的标准晶圆使用时间较长。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010213854.X 【申请日】2010-06-23 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102298266A 【公开公告日】2011-12-28 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102298266B 【授权公告日】2013-06-05 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G03F7/20; G03F9/00 【发明人】黄玮 【主权项内容】一种制造标准晶圆的方法，包括：通过基准光刻设备对晶圆进行光刻，在所述光刻中，将光刻版上的基准图形曝光在晶圆上，在晶圆上形成校准图形，其特征在于，曝光时只对光刻版中央区域的基准图形曝光。。该数据由<>整理 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】5.0 【被引证次数】11 【他引次数】5.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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