【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件,包括:P型衬底,在P型衬底上设埋氧层,在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II,其中I区为绝缘栅双极型器件区,包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和
【摘要】 1.产品名称:烛台(4)。2.产品用途:用作为蜡烛的固定台。3.产品的形状为设计要点。4.产品立体图最能表明设计要点。 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030561640.2 【申请日】2010-10-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301642788S 【公开公告日】2011-08-10 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301642788S 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陈嬿 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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