【摘要】 本发明涉及一种5μm深硅隔离槽形成方法，其包括如下步骤：a、提供衬底及位于衬底上的掩蔽层；b、在所述掩蔽层上涂布光刻胶，并在掩蔽层上形成掩蔽层窗口；c、刻蚀所述掩蔽层窗口底部的掩蔽层；d、去除掩蔽层上的光刻胶；e、对衬底进行等离子体反应刻蚀，在衬底上得到隔离槽，隔离槽的深度为4.95～5.05μm；f、对所述衬底及掩蔽层利用混合酸溶液进行清洗；g、在衬底的隔离槽内淀积隔离介质，所述隔离介质填充于隔离槽内，并覆盖于掩蔽层的表面；h、去除所述掩蔽层表面的隔离介质，得到位于隔离槽内的隔离介质；i、去除所述衬底表面的掩蔽层，形成具有隔离槽的衬底。本发明工艺步骤简单，采用常规腐蚀设备，降低加工成本，提高了隔离电压，稳定可靠。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010589341.9 【申请日】2010-12-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102082112A 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/763; H01L21/02 【发明人】陈杰; 陈正才; 肖志强; 李幸和 【主权项内容】一种深硅隔离槽形成方法，其特征是，所述隔离槽形成方法包括如下步骤：(a)、提供衬底(1)，并在所述衬底(1)上热氧化形成掩蔽层(2)；(b)、在所述掩蔽层(2)上涂布光刻胶(3)，并选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶(3)，在所述掩蔽层(2)上形成掩蔽层窗口(6)，露出掩蔽层窗口(6)底部的掩蔽层(2)；(c)、刻蚀所述掩蔽层窗口(6)底部的掩蔽层(2)，保留掩蔽层窗口(6)外的掩蔽层(2)，露出与掩蔽层窗口(6)相对应的衬底(1)；(d)、去除掩蔽层(2)上的光刻胶(3)；(e)、对露出衬底(1)的表面进行等离子体反应刻蚀，在衬底(1)上得到隔离槽(4)，所述隔离槽(4)的深度为4.95～5.05μm；(f)、对所述衬底(1)及掩蔽层(2)利用混合酸溶液进行清洗，所述混合酸溶液由H2SO4溶液和H2O2溶液组成；所述H2SO4溶液与H2O2间的体积关系为H2SO4∶H2O2＝5～7∶1；所述H2SO4溶液的浓度96％～98％，所述H2O2溶液的浓度为30％～32％；(g)、在所述衬底(1)的隔离槽(4)内淀积隔离介质(5)，所述隔离介质(5)填充于隔离槽(4)内，并覆盖于掩蔽层(2)的表面；(h)、去除所述掩蔽层(2)表面的隔离介质(5)，得到位于隔离槽(4)内的隔离介质(5)；(i)、去除所述衬底(1)表面的掩蔽层(2)，形成具有隔离槽(4)的衬底(1)。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1

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